Ведущий китайский производитель оперативной памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) приступил к этапу опытного производства (risk production) высокоскоростной стековой памяти стандарта HBM3E. Этот технологический шаг знаменует важный рубеж в развитии национальной полупроводниковой индустрии Китая, направленный на снижение зависимости от зарубежных поставщиков при выпуске аппаратных ускорителей искусственного интеллекта.
Стековая память High Bandwidth Memory (HBM) является ключевым компонентом современных высокопроизводительных вычислительных систем, ускорителей нейросетей и суперкомпьютеров. До недавнего времени мировой рынок HBM был практически полностью разделен между южнокорейскими гигантами SK hynix и Samsung Electronics, а также американской корпорацией Micron Technology. Переход CXMT к опытному выпуску модулей HBM3E подтверждает готовность китайского вендора осваивать сложные методы многослойной 3D-компоновки кремниевых пластин.
Технические параметры и спецификации JEDEC HBM3E
Хотя коммерческие спецификации конкретных партий CXMT пока уточняются в ходе тестирования, архитектура строится на стандартных отраслевых спецификациях ассоциации JEDEC. Интерфейс HBM3E использует 1024-битную шину данных со скоростью передачи сигналов до 9,6 Гбит/с на контакт, что позволяет отдельному стеку обеспечивать пиковую пропускную способность до 1,228 ТБ/с. В зависимости от конфигурации стека, объединяющего 8 или 12 слоев кристаллов DRAM плотностью 24 Гбит, суммарный объем одного модуля достигает 24 ГБ или 36 ГБ.
Освоение выпуска HBM связано со значительными инженерными вызовами: для создания надежного стека требуется прецизионное травление сквозных кремниевых отверстий Through-Silicon Vias (TSV), высокоточное микроконтактное соединение слоев, эффективное рассеивание тепла и комплексное тестирование многослойных сборок. Успешный запуск опытного производства показывает, что технологическая база CXMT вышла за рамки базового выпуска стандартной потребительской памяти DDR4 и LPDDR4X.
Оценка китайскими разработчиками ускорителей и перспективы рынка
По данным отраслевых источников, опытные образцы HBM3E от CXMT уже переданы для квалификационного тестирования и валидации ключевым китайским разработчикам процессоров и нейрочипов, включая подразделение T-Head холдинга Alibaba Group и компанию Cambricon Technologies. В случае успешного завершения испытаний серийная интеграция новой отечественной памяти в коммерческие серверные платформы может начаться уже в 2027 году.
Несмотря на то, что мировые лидеры полупроводникового рынка уже переходят к массовому производству следующего поколения HBM4, стандарт HBM3E сохраняет высокую актуальность для подавляющего большинства задач обучения и инференса больших языковых моделей. Собственное производство HBM-памяти в сочетании с расширением мощностей фаундри-заводов существенно повышает устойчивость аппаратной инфраструктуры к внешним ограничениям на поставки высокотехнологичных полупроводниковых компонентов.