Китайская компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) существенно нарастила эффективность производства оперативной памяти DDR5. Выход годных кристаллов на 17-нанометровом техпроцессе достиг 90%, что сокращает отставание от мировых лидеров отрасли.
Крупнейший китайский производитель микросхем оперативной памяти ChangXin Memory Technologies добился важного технологического рубежа. Согласно промышленному отчету, уровень брака при коммерческом выпуске 16-гигабитных чипов DDR5 по узлу 17 нм упал до рекордных 10%, что соответствует стандартам ведущих фабрик Samsung, SK Hynix и Micron.
Масштабирование объемов и характеристики
Чипы CXMT 17 нм поддерживают эффективную частоту до 6400 МТ/с при рабочем напряжении 1.1 В. Производственные мощности фабрики в Хэфэе переведены на массовую отгрузку планок памяти DDR5 для настольных ПК и серверных модулей формата RDIMM.
Высокий показатель выхода кристаллов позволит производителям модулей первой волны, включая Lexar, KingBank и Gloway, снизить себестоимость комплектов памяти DDR5 объема 32 ГБ и 64 ГБ. По оценкам аналитиков, рост отгрузок CXMT на внутреннем рынке Китая уменьшит зависимости от импортной памяти на 25% до конца года.
Планы по переходу на нормы 15 нм
На фоне успеха 17-нанометровой платформы инженерные команды CXMT приступили к опытно-промышленным испытаниям более тонкого узла 15 нм. Ожидается, что следующие чипы обеспечат частоты до 7200 МТ/с без повышения уровня энергопотребления.
Источники
- Wccftech, 2026-08-11
- Tom's Hardware, 2026-08-11