Полупроводниковые гиганты Samsung Electronics и TSMC скорректировали график закупок новейших литографических установок ASML High-NA EUV. Обе компании приняли решение внедрять сканеры стоимостью $380 млн только при выходе на нормативы 1 нм.
Решение крупнейших контрактных производителей чипов перенести интеграцию установок ASML Twinscan EXE:5000 связано с высокой экономической стоимостью оборудования и успехами оптимизации текущей технологии Low-NA EUV с применением двойного экспонирования (multi-patterning).
Экономика производства и апертура 0.55 NA
Каждая система High-NA EUV имеет числовую апертуру 0.55 NA против 0.33 NA у традиционных сканеров. Это позволяет печатать элементы размером до 8 нм за один проход, однако цена одной машины превышает $380 млн, а подготовка чистых помещений требует многомиллиардных реконструкций фабрик.
Инженеры TSMC и Samsung пришли к выводу, что производство чипов по нормам 2 нм и 1.4 нм рентабельнее осуществлять на существующем парке оборудования с апертурой 0.33 NA. Внедрение систем 0.55 NA признано экономически обоснованным только для узла 10 ангстрем (1 нм), запланированного на 2028-2029 годы.
Позиция Intel Foundry
В отличие от азиатских конкурентов, компания Intel продолжает активно монтировать установки ASML High-NA EUV на своем заводе в Орегоне для запуска техпроцесса Intel 14A. Это создает уникальное технологическое расхождение между лидерами полупроводниковой индустрии.
Источники
- Wccftech, 2026-08-11
- Tom's Hardware (ASML High-NA EUV), 2026-08-11