Samsung Electronics официально представила три новые технологии хранения и передачи данных: zHBM, zNAND-O и BV-NAND. Каждое из этих решений создано для центров обработки данных и ускорения вычислений в сфере искусственного интеллекта.
Новые стандарты памяти призваны решить проблему «узкого места» пропускной способности, с которой сталкиваются современные суперкомпьютеры и кластеры обучения нейросетей. По заявлению Samsung, фундаментальной основой всех трех технологий стала гибридная технология межкомпонентного соединения прямым контактом кремниевых пластин (wafer bonding).
Высокоскоростная память zHBM для ускорителей
Стандарт zHBM разрабатывается как прямая альтернатива будущим поколениям HBM5. Отличие заключается в отказе от традиционных микробугорков (microbumps) в пользу прямого межслойного контакта Copper-to-Copper. Это позволило значительно уменьшить межслойное расстояние в стеке, снизить тепловое сопротивление и сократить энергопотребление на единицу передаваемой информации.
Оптимизация накопителей zNAND-O и архитектура BV-NAND
Для энергонезависимой памяти Samsung предложила решения zNAND-O и BV-NAND. Технология zNAND-O объединяет кристаллы Flash-памяти и управляющую логику с помощью вертикального стекирования пластин, что обеспечивает многократный рост скорости случайного чтения мелких блоков. В свою очередь, архитектура BV-NAND (Bounded Vertical NAND) направлена на увеличение предельного количества физических слоев в 3D NAND за счет усовершенствованной структуры ячеек и снижения паразитных емкостей.
Промышленное внедрение первых инженерных образцов zHBM и zNAND-O запланировано на вторую половину 2026 года, а массовое производство накопителей на базе BV-NAND стартует ближе к 2027 году.
Источники
- Tom's Hardware, 2026-08-06
- TechPowerUp, 2026-08-06