Компании Kioxia и SanDisk объявили о начале поставок первых образцов флеш-памяти 3D NAND десятого поколения (BiCS10) с 332 слоями. Новая разработка нацелена на использование в корпоративных твердотельных накопителях и инфраструктуре для систем искусственного интеллекта.
Новые чипы плотностью 1 Тбит на базе трехбитовых ячеек (TLC) демонстрируют плотность записи более 29 Гбит/мм². Это на 59% превышает показатели предыдущего массового поколения BiCS8. Такого результата удалось достичь благодаря использованию архитектуры CBA (CMOS непосредственно под массивом ячеек), при которой управляющая логика и массив памяти производятся на отдельных кремниевых пластинах и затем соединяются вместе.
Производительность и энергоэффективность
Скорость передачи данных нового интерфейса Toggle DDR 6.0 достигает 4.8 Гбит/с, что на 33% быстрее памяти предыдущего поколения. Это расширяет возможности для создания будущих накопителей с интерфейсом PCIe Gen 6.
Разработчики также уделили значительное внимание энергопотреблению. Затраты энергии на ввод данных снизились на 10%, а на вывод — на 34%. В зависимости от сценария работы эффективность чтения и записи увеличилась на 18–30%. Для стабильной работы на высоких частотах используются новые протоколы SCA (Separate Command Address) и технология PI-LTT (Power Isolated Low-Tapped Termination).
Производство и рыночные перспективы
Выпуск тестовых чипов BiCS10 налажен на японском заводе Fab2 Kitakami в префектуре Иватэ. Вместо гонки за абсолютным количеством слоев (где Samsung заявляет о планах на 400 слоев), Kioxia и SanDisk сделали ставку на баланс плотности, энергоэффективности и стоимости производства, что делает новую память коммерчески привлекательной для облачных провайдеров.
Источники
- StorageReview, 2026-07-03
- Tom's Hardware, 2026-07-07