Корпорация Intel официально подтвердила преодоление ключевого индустриального рубежа: на передовых литографических установках High-NA EUV суммарно обработано более одного миллиона 300-миллиметровых кремниевых пластин с момента запуска первого инструмента в Орегоне.
Американский полупроводниковый гигант Intel отчитался о достижении знаковой производственной вехи в освоении литографии сверхвысокой числовой апертуры (High-NA EUV). Менее чем за два с половиной года с момента сборки первой промышленной установки компания пропустила через свое оборудование свыше одного миллиона кремниевых пластин диаметром 300 миллиметров. В эту внушительную цифру включены кремниевые подложки, задействованные на этапах пусконаладочных работ, калибровки оптики, научно-исследовательских экспериментов и опытно-промышленного производства процессоров следующего поколения.
Ранее в текущем году Intel успешно сертифицировала использование сканеров High-NA EUV для своего флагманского технологического процесса Intel 18A, благодаря чему данное оборудование непосредственно участвует в изготовлении вычислительных кристаллов линейки Panther Lake. Текущий парк оборудования компании включает две литографические системы ASML Twinscan EXE:5000, а также новейший высокоскоростной коммерческий сканер EXE:5200B. По данным отраслевой статистики, к концу февраля 2025 года объем обработки составлял лишь около 30 тысяч пластин, поэтому преодоление планки в один миллион пластин к сентябрю 2026 года свидетельствует о беспрецедентном ускорении практического применения инструментов следующего поколения.
Масштабирование парка оборудования и опережение индустрии
Достигнутый результат наглядно демонстрирует технологический отрыв Intel в практической эксплуатации установок с числовой апертурой 0,55 NA. Для сравнения, нидерландский производитель литографического оборудования ASML весной сообщал, что абсолютно все поставленные мировым заказчикам системы High-NA EUV суммарно обработали порядка 500 тысяч пластин. Это означает, что одна лишь Intel обработала больше кремниевых пластин на сканерах нового поколения, чем все остальные полупроводниковые контрактные производители и разработчики памяти вместе взятые.
Быстрое накопление практического опыта позволило инженерам Intel оптимизировать параметры экспонирования, дозировку экстремального ультрафиолетового излучения и поведение фоторезистов при субнанометровых масштабах элементов. Накопленные массивы статистических данных о дефектах и стабильности фокуса критически важны для повышения выхода годных кристаллов и последующего развертывания еще более тонких литографических норм класса Intel 14A.
Решение проблемы разделения полей и разработка фотомасок 6×12 дюймов
В современных установках 0,55-NA EUV применяется анаморфотная оптическая схема с неодинаковым масштабированием (4X по одной оси и 8X по другой), в результате чего стандартная шестидюймовая фотомаска способна экспонировать на пластине только поле размером 26 на 16,5 миллиметров, что ровно в два раза меньше поля 26 на 33 миллиметра в классических EUV-сканерах 0,33 NA. Из-за этого геометрического ограничения крупные полупроводниковые кристаллы приходится экспонировать методом сшивки (stitching) из двух раздельных полуполей, что требует идеального совмещения слоев и существенно усложняет подготовку шаблонов.
Чтобы преодолеть ограничения классических фотошаблонов, Intel параллельно ведет разработку увеличенных фотомасок формата 6×12 дюймов. Внедрение таких удлиненных шаблонов позволит сканерам High-NA EUV за один проход экспонировать полноценное поле 26 на 33 миллиметра без необходимости применения сшивки. Это техническое новшество призвано значительно ускорить процесс литографии, предотвратить появление дефектов на стыках полуполей и кардинально снизить себестоимость производства крупногабаритных серверных процессоров и ускорителей вычислений.